Filtruj według

Kategorie

Kategorie

Napięcie dren-źródło

Napięcie dren-źródło

Prąd drenu

Prąd drenu

Typ tranzystora

Typ tranzystora

Moc

Moc

Obudowa

Obudowa

Montaż

Montaż

Rezystancja w stanie przewodzenia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Producent

Producent

Rodzaj tranzystora

Rodzaj tranzystora

Napięcie wyjściowe

Napięcie wyjściowe

Prąd wyjściowy

Prąd wyjściowy

Rodzaj stabilizatora

Rodzaj stabilizatora

Rodzaj układu scalonego

Rodzaj układu scalonego

Sterowanie bramki

Sterowanie bramki

Półprzewodniki

Półprzewodniki | APHElektra.com

Aktywne filtry

  • Obudowa: SO-8 ×
0,78 zł

Komparator różnicowy

Czas propagacji: 300ns

Napięcie zasilania: 2-36V DC

Obudowa: SO-8

Liczba kanałów: 2

Montaż: powierzchniowy (SMD)

7,90 zł

Driver MOSFET,
Napięcie wyjściowe:620V,
Prąd wyjściowy:210mA,
Moc:1W,
2 wyjścia

0,99 zł
  • Bestseller

Astable/monostable, timer

Częstotliwość 500kHz

Napięcie zasilania: 4.5 - 16V DC

Prąd zasilania DC: 10mA

Montaż: powierzchniowy (SMD)

Obudowa: SO8

9,79 zł

Interfejs CAN (nadajnik/odbiornik)

Liczba kanałów: 2

Napięcie zasilania: 5V DC

Obudowa: SO8

Montaż: powierzchniowy (SMD)

1,15 zł

Wzmacniacz operacyjny

Liczba kanałów: 2

Pasmo przenoszenia: 1MHz

Napięcie zasilania: 3-32V DC

Montaż: powierzchniowy (SMD)

Obudowa: SO-8

0,70 zł

Wzmacniacz operacyjny, niskoszumny

Liczba kanałów: 2

Pasmo przenoszenia: 3MHz

Napięcie zasilania: +/-3.5 ÷ +/-18V DC

Montaż: powierzchniowy (SMD)

Obudowa: SO-8

0,46 zł

liniowy stabilizator napięcia nieregulowany
Napięcie wyjściowe 5V
Prąd wyjściowy 0.1A
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa SO-8

0,46 zł

liniowy stabilizator napięcia nieregulowany
Napięcie wyjściowe 12V
Prąd wyjściowy 0.1A
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa SO-8

4,50 zł

Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

2,90 zł

Typ tranzystora: LogicLevel, N/N-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanałów N: 8,1A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanałów N: 17,9mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

2,50 zł

Typ tranzystora: N-MOSFET x2, unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 50V
Prąd drenu kanałów N: 3A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 130mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 12nC