Napięcie dren-źródło

• ✓ 100V (1)
• ✓ 200V (1)

Prąd drenu

• ✓ 11A (1)
• ✓ 33A (1)

Typ tranzystora

• ✓ N-MOSFET (1)
• ✓ P-MOSFET (1)

Moc

• ✓ 0,3W (4)
• ✓ 0,4W (1)
• ✓ 0,5W (6)
• ✓ 0,6W (1)
• ✓ 0,8W (2)
• ✓ 0,35W (1)
• ✓ 0,36W (1)
• ✓ 0,63W (2)
• ✓ 0,625W (5)
• ✓ 1,3W (1)
• ✓ 1,4W (1)
• ✓ 2,1W (1)
• ✓ 2,5W (2)
• ✓ 2W (3)
• ✓ 10W (5)
• ✓ 12,5W (7)
• ✓ 17,5W (1)
• ✓ 20W (1)
• ✓ 23W (1)
• ✓ 25W (2)
• ✓ 30W (1)
• ✓ 34W (1)
• ✓ 35W (3)
• ✓ 36W (2)
• ✓ 40W (2)
• ✓ 45W (4)
• ✓ 60W (3)
• ✓ 65W (2)
• ✓ 90W (2)
• ✓ 94W (1)
• ✓ 100W (5)
• ✓ 110W (3)
• ✓ 117W (1)
• ✓ 125W (3)
• ✓ 130W (1)
• ✓ 140W (2)
• ✓ 143W (1)
• ✓ 150W (5)
• ✓ 175W (1)
• ✓ 190W (3)
• ✓ 200W (5)
• ✓ 250mW (4)
• ✓ 294W (1)
• ✓ 330W (1)
• ✓ 333W (1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

• ✓ 0,5Ω (1)
• ✓ 44mΩ (1)

Producent

• ✓ International Rectifier (1)

Rodzaj tranzystora

• ✓ HEXFET (1)