Filtruj według

Napięcie dren-źródło

Napięcie dren-źródło

Prąd drenu

Prąd drenu

Typ tranzystora

Typ tranzystora

Moc

Moc

Obudowa

Obudowa

Rezystancja w stanie przewodzenia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Sterowanie bramki

Sterowanie bramki

Tranzystory

Tranzystory | APHElektra.com
Tranzystory unipolarne Tranzystory unipolarne
Tranzystory bipolarne Tranzystory bipolarne
Tranzystory IGBT Tranzystory IGBT

Aktywne filtry

  • Obudowa: SO-8 ×
IRF7389 tranzystor MOS-N/P-FET 30V 7,3A/5,3A 2,5W 0,028ohm SO-8

4,50 zł

Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

IRL6372 tranzystor dualMOS-N/N-FET 30V 8,1A 2W 0,018ohm SO-8

2,90 zł

Typ tranzystora: LogicLevel, N/N-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanałów N: 8,1A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanałów N: 17,9mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

IRF7103 tranzystor dualMOS-N/P-FET 50V 3A/3A 2W 0,028ohm SO-8

2,50 zł

Typ tranzystora: N-MOSFET x2, unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 50V
Prąd drenu kanałów N: 3A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 130mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 12nC