Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 74A
Moc: 200W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 100V
Prąd drenu: 23A
Moc: 140W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,117Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET,
Napięcie dren-źródło: 200V
Prąd drenu: 11A
Moc: 140W
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω
Obudowa: TO220AB
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, STripFET II
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 2.5A
Moc: 2.5W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω
Montaż: powierzchniowy (SMD)
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET,
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu: 4,3A
Moc: 1.4W
Obudowa: SOT23
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 48mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)