Filtruj według

Napięcie dren-źródło

Napięcie dren-źródło

Prąd drenu

Prąd drenu

Typ tranzystora

Typ tranzystora

Moc

Moc

Obudowa

Obudowa

Montaż

Montaż

Rezystancja w stanie przewodzenia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Producent

Producent

Rodzaj tranzystora

Rodzaj tranzystora

Sterowanie bramki

Sterowanie bramki

Tranzystory unipolarne

Tranzystory Unipolarne «

Aktywne filtry

3,90 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 49A
Moc: 94W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 17,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

2,15 zł
  • Bestseller

Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.

Typ tranzystora: unipolarny, N-FET 
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 0,2A
Moc: 350mW
Obudowa: TO-92
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω
Montaż: przewlekany (THT)  

Zamiennik dla: BS170, BST170, BST72, 2SK1337

7,90 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 40V
Prąd drenu: 202A
Moc: 333W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ
Montaż: przewlekany (THT) 

4,70 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 100V
Prąd drenu: 33A
Moc: 140W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

7,45 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 210A
Moc: 300W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 3mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

12,42 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 150V
Prąd drenu: 83A
Moc: 330W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

4,38 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 650V
Prąd drenu: 8A
Moc: 167W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,93Ω
Montaż: przewlekany (THT)

14,80 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 110A
Moc: 200W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

Tranzystor może być z powodzeniem stosowany zamiast HUF75344G lub H80NF55

23,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 75V
Prąd drenu: 209A
Moc: 330W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

2,90 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 42A
Moc: 110W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)

3,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 42A
Moc: 130W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)

8,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 74A
Moc: 200W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

3,90 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 100V
Prąd drenu: 23A
Moc: 140W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,117Ω
Montaż: przewlekany (THT)

3,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET,
Napięcie dren-źródło: 200V
Prąd drenu: 11A
Moc: 140W
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω
Obudowa: TO220AB
Montaż: przewlekany (THT)

4,50 zł

Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

2,50 zł

Typ tranzystora: LogicLevel, N/N-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanałów N: 8,1A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanałów N: 17,9mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

3,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 50A
Moc: 143W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)

Co to jest tranzystor?

Tranzystor jest to trójelektrodowy, rzadziej czteroelektrodowy, półprzewodowy element elektryczny posiadający zdolność wzmacniania sygnału. Wynalezienie tranzystora jest przełomem w elektryce, zastąpił on duże i energochłonne lampy elektronowe.

Budowa tranzystora

  • Bramki G w postaci metalizowanej powłoki
  • Izolatora z tlenku krzemu, oddzielającego bramkę od innych podzespołów
  • Podłoża B półprzewodnik domieszkowany przeciwnie do rodzaju kanałów
  • Drenu D i źródła S, które są obszarami w podłożu o domieszkowaniu przeciwnym do niego

Częścią zasadniczą tranzystora unipolarnego jest kryształ odpowiednio domieszkowanego półprzewodnika z dwiema elektrodami, pomiędzy źródłem i drenem tworzy się tak zwany kanał, płynie nim prąd.Wzdłuż kanału znajduję się trzecia elektroda nazywana bramką. Tranzystory epiplanarne tak jak przypadek układów scalonych, gdzie wytwarza się wiele tranzystorów na wspólnym krysztale, charakteryzują się dodatkową czwartą elektrodą tzw. podłoże, które służy do odpowiedniej polaryzacji podłoża.

Opis przykładowego produktu tranzystor unipolarny IRFZ44N: Symbol produktu: IRFZ44N, Prąd drenu: 49A, Napięcie: 55V, Moc: 107W, Obudowa: TO-220