Filtruj według

Napięcie dren-źródło

Napięcie dren-źródło

Prąd drenu

Prąd drenu

Typ tranzystora

Typ tranzystora

Moc

Moc

Obudowa

Obudowa

Montaż

Montaż

Rezystancja w stanie przewodzenia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Producent

Producent

Sterowanie bramki

Sterowanie bramki

Tranzystory unipolarne

Tranzystory Unipolarne «

Aktywne filtry

  • Napięcie dren-źródło: 55V ×
3,90 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 49A
Moc: 94W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 17,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

6,50 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 110A
Moc: 200W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

14,80 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 110A
Moc: 200W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

Tranzystor może być z powodzeniem stosowany zamiast HUF75344G lub H80NF55

2,90 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 42A
Moc: 110W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)

3,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 42A
Moc: 130W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)

4,90 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 47A
Moc: 110W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

8,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 74A
Moc: 200W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

3,50 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 17A
Moc: 45W
Obudowa: I-PAK (TO-251)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

1,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 3.7A
Moc: 2.1W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)

2,39 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 68V
Prąd drenu: 60A
Moc: 110W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

Co to jest tranzystor?

Tranzystor jest to trójelektrodowy, rzadziej czteroelektrodowy, półprzewodowy element elektryczny posiadający zdolność wzmacniania sygnału. Wynalezienie tranzystora jest przełomem w elektryce, zastąpił on duże i energochłonne lampy elektronowe.

Budowa tranzystora

  • Bramki G w postaci metalizowanej powłoki
  • Izolatora z tlenku krzemu, oddzielającego bramkę od innych podzespołów
  • Podłoża B półprzewodnik domieszkowany przeciwnie do rodzaju kanałów
  • Drenu D i źródła S, które są obszarami w podłożu o domieszkowaniu przeciwnym do niego

Częścią zasadniczą tranzystora unipolarnego jest kryształ odpowiednio domieszkowanego półprzewodnika z dwiema elektrodami, pomiędzy źródłem i drenem tworzy się tak zwany kanał, płynie nim prąd.Wzdłuż kanału znajduję się trzecia elektroda nazywana bramką. Tranzystory epiplanarne tak jak przypadek układów scalonych, gdzie wytwarza się wiele tranzystorów na wspólnym krysztale, charakteryzują się dodatkową czwartą elektrodą tzw. podłoże, które służy do odpowiedniej polaryzacji podłoża.

Opis przykładowego produktu tranzystor unipolarny IRFZ44N: Symbol produktu: IRFZ44N, Prąd drenu: 49A, Napięcie: 55V, Moc: 107W, Obudowa: TO-220