- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 110A
Moc: 200W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Tranzystor może być z powodzeniem stosowany zamiast HUF75344G lub H80NF55
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 75V
Prąd drenu: 209A
Moc: 330W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 500V
Prąd drenu: 14A
Moc: 190W
Obudowa: TO247
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 500V
Prąd drenu: 17A
Moc: 190W
Obudowa: TO247
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Co to jest tranzystor?
Tranzystor jest to trójelektrodowy, rzadziej czteroelektrodowy, półprzewodowy element elektryczny posiadający zdolność wzmacniania sygnału. Wynalezienie tranzystora jest przełomem w elektryce, zastąpił on duże i energochłonne lampy elektronowe.
Budowa tranzystora
- Bramki G w postaci metalizowanej powłoki
- Izolatora z tlenku krzemu, oddzielającego bramkę od innych podzespołów
- Podłoża B półprzewodnik domieszkowany przeciwnie do rodzaju kanałów
- Drenu D i źródła S, które są obszarami w podłożu o domieszkowaniu przeciwnym do niego
Częścią zasadniczą tranzystora unipolarnego jest kryształ odpowiednio domieszkowanego półprzewodnika z dwiema elektrodami, pomiędzy źródłem i drenem tworzy się tak zwany kanał, płynie nim prąd.Wzdłuż kanału znajduję się trzecia elektroda nazywana bramką. Tranzystory epiplanarne tak jak przypadek układów scalonych, gdzie wytwarza się wiele tranzystorów na wspólnym krysztale, charakteryzują się dodatkową czwartą elektrodą tzw. podłoże, które służy do odpowiedniej polaryzacji podłoża.
Opis przykładowego produktu tranzystor unipolarny IRFZ44N: Symbol produktu: IRFZ44N, Prąd drenu: 49A, Napięcie: 55V, Moc: 107W, Obudowa: TO-220