Lista produktów marki ST Microelectronics

liniowy stabilizator napięcia nieregulowany
Napięcie wyjściowe 12V
Prąd wyjściowy 1.5A
Montaż: przewlekany (THT)
Obudowa TO220
Grubość radiatora 1.2mm (double gauge)

liniowy stabilizator napięcia nieregulowany
Napięcie wyjściowe 15V
Prąd wyjściowy 1.5A
Montaż: przewlekany (THT)
Obudowa TO220
Grubość radiatora 0,6mm (single gauge)

liniowy stabilizator napięcia nieregulowany LDO

Napięcie wyjściowe: +3.3V
Prąd wyjściowy: 0.8A
Tolerancja: 1.0%
Napięcie dropout: 1.1V
Montaż: przewlekany (THT)
Obudowa TO220
Grubość radiatora 0.6mm (single gauge)

oznaczenie: LD33V

LD1117 odpowiednik dla LM1117

liniowy stabilizator napięcia nieregulowany LDO

Napięcie wyjściowe: +3.3V
Prąd wyjściowy: 0.8A
Tolerancja: 1.0%
Napięcie dropout: 1.1V
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa SOT223

oznaczenie: 1117M3

liniowy stabilizator napięcia nieregulowany LDO

Napięcie wyjściowe: +5V
Prąd wyjściowy: 0.8A
Tolerancja: 2.0%
Napięcie dropout: 1.5V
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa SOT223

oznaczenie: 1117C

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 600V
Prąd drenu: 10A
Moc: 35W
Obudowa: TO220FP izolowana
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω
Montaż: przewlekany (THT) 

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 600V
Prąd drenu: 4A
Moc: 25W
Obudowa: TO220FB izolowana
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω
Montaż: przewlekany (THT) 

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 60A
Moc: 150W
Obudowa: TO220
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 900V
Prąd drenu: 5,8A
Moc: 30W
Obudowa: TO220 izolowana
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω
Montaż: przewlekany (THT)  

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 500V
Prąd drenu: 17A
Moc: 190W
Obudowa: TO247
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω
Montaż: przewlekany (THT) 

Typ elementu: triak

Napięcie wsteczne maks.: 600V

Prąd przewodzenia maks.: 4A

Prąd bramki: 10mA

Obudowa: DPAK (TO-252AA)

Montaż: SMD

Układ cyfrowy CMOS

Hex Inverter

Montaż: przewlekany (THT)

Obudowa:DIL16

Układ cyfrowy CMOS

Bramka: NAND

Liczba kanałów: 4

Liczba wejść: 2

Montaż: powierzchniowy (SMD)

Obudowa: SO14

Układ cyfrowy CMOS

programmable timer

Montaż: przewlekany (THT)

Obudowa:DIL14

Wzmacniacz operacyjny

Liczba kanałów: 2

Pasmo przenoszenia: 1MHz

Napięcie zasilania: 3-32V DC

Montaż: powierzchniowy (SMD)

Obudowa: SO-8

Wzmacniacz operacyjny

Liczba kanałów: 2

Pasmo przenoszenia: 1MHz

Napięcie zasilania: 3-32V DC

Montaż: przewlekany (THT)

Obudowa: DIL8

wzmacniacz Audio

Moc maksymalna: 0,8W (16ohm) / THD 10%,

Zasilanie: 1,8÷15V