IRFB9N65A tranzystor MOS-N-FET 650V,8A,167W, 0,93R TO-220

IRFB9N65A tranzystor MOS-N-FET 650V, 8A, 167W, 0,93R TO-220

Indeks: IRFB9N65
Availability:
4,38 zł
Brutto (zawiera podatek VAT)

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 650V
Prąd drenu: 8A
Moc: 167W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,93Ω
Montaż: przewlekany (THT)

Nowy