IRF7389 tranzystor MOS-N/P-FET 30V 7,3A/5,3A 2,5W 0,028ohm SO-8

IRF7389 tranzystor dualMOS-N/P-FET 30V 7,3A/5,3A 2,5W 0,028ohm SO-8

Indeks: IRF7389
Availability:
4,50 zł
Brutto (zawiera podatek VAT)

Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

Opis

Montaż
SMD (powierzchniowy)
Rezystancja w stanie przewodzenia
29mΩ
Producent
International Rectifier
Moc
2,5W
Typ tranzystora
dual N/P-MOSFET
Napięcie dren-źródło
30V
Rodzaj tranzystora
HEXFET
Prąd drenu
7,3A
Obudowa
SO-8
Nowy