Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 150V
Prąd drenu: 83A
Moc: 330W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 40V
Prąd kolektora: 50mA
Moc: 360mW
Obudowa: TO-18
Montaż: THT
Częstotliwość: 400MHz
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 3.7A
Moc: 2.1W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)