- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 49A
Moc: 94W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 17,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 0,2A
Moc: 350mW
Obudowa: TO-92
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Zamiennik dla: BS170, BST170, BST72, 2SK1337
- Bestseller
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 30V
Prąd kolektora: 100mA
Moc: 300mW
Obudowa: TO-92
Montaż: THT
Częstotliwość: 130MHz
Cena za zestaw 10 sztuk tranzystorów.
- Bestseller
Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 75V
Prąd kolektora: 800mA
Moc: 500mW
Obudowa: TO92
Montaż: THT
Częstotliwość: 300MHz
Napięcie dren-źródło: 160V
Prąd drenu: 7A
Moc: 100W
Obudowa: TO-3
Napięcie bramka-źródło: 14V
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 60V
Prąd kolektora:1A
Moc: 800mW
Obudowa: TO-39
Montaż: THT
Częstotliwość: 200MHz
2N2904
Zamiennik dla: BC313
Typ tranzystora: IGBT (z diodą)
Napięcia kolektor-emiter: 600V
Prąd kolektora: 30A
Moc: 100W
Obudowa: TO-220
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: IGBT (z diodą)
Napięcia kolektor-emiter: 600V
Prąd kolektora: 100A
Moc: 333W
Obudowa: TO-247
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.
Tranzystor PNP ogólnego przeznaczenia, do zastosowań we wzmacniaczach wysokonapięciowych.
Typ tranzystora: bipolarny, PNP
Napięcia kolektor-emiter: 160V
Prąd kolektora: 600mA
Moc: 350mW
Obudowa: TO92
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 400MHz
- Bestseller
Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.
Tranzystor NPN ogólnego przeznaczenia, do zastosowań we wzmacniaczach wysokonapięciowych.
Typ tranzystora: bipolarny, NPN
Napięcia kolektor-emiter: 160V
Prąd kolektora: 600mA
Moc: 350mW
Obudowa: TO92
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 400MHz
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 110A
Moc: 170W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 100V
Prąd drenu: 33A
Moc: 140W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: bipolarny, PNP
Napięcia kolektor-emiter: 120V
Prąd kolektora: 100mA
Moc: 300mW
Obudowa: TO92
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 100MHz
2SA970 niskoszumowy (low noise)
Tranzystor PNP ogólnego przeznaczenia, do zastosowań jako sterujący we wzmacniaczach wysokonapięciowych.
komplementarny do: 2SD1684
Typ tranzystora: bipolarny, PNP
Napięcia kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 1,5A
Moc: 10W
Obudowa: TO126, izolowana
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 120MH
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 400V
Prąd drenu: 10A
Moc: 125W
Obudowa: TO220AB
Montaż: przewlekany (THT)
Tranzystor NPN ogólnego przeznaczenia, do zastosowań jako sterujący we wzmacniaczach wysokonapięciowych.
komplementarny do 2SB1144
Typ tranzystora: bipolarny, NPN
Napięcia kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 1,5A
Moc: 10W
Obudowa: TO126 izolowana
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 120MHz
Typ tranzystora: bipolarny, NPN
Napięcia kolektor-emiter: 600/450V
Prąd kolektora: 10A
Moc: 100W
Obudowa: SOT99
Montaż: przewlekany (THT)
Tranzystor NPN stosowany jako stopień końcowy we wzmacniaczach Hi-Fi.
Komplementarny do 2SA1943
Typ tranzystora: bipolarny, NPN
Napięcia kolektor-emiter: 230V
Prąd kolektora: 15A
Moc: 150W
Obudowa: SOT430
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 30MHz
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 150V
Prąd drenu: 83A
Moc: 330W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: bipolarny, NPN
Napięcia kolektor-emiter: 60V
Prąd kolektora: 10A
Moc: 25W
Obudowa: TO220
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 650V
Prąd drenu: 8A
Moc: 167W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,93Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: bipolarny, NPN
Napięcia kolektor-emiter: 1700/600V
Prąd kolektora: 20A
Moc: 70W
Obudowa: sot93
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 2 MHz
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 75V
Prąd drenu: 209A
Moc: 330W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 500V
Prąd drenu: 14A
Moc: 190W
Obudowa: TO247
Montaż: przewlekany (THT)