- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 49A
Moc: 94W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 17,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Napięcie dren-źródło: 160V
Prąd drenu: 7A
Moc: 100W
Obudowa: TO-3
Napięcie bramka-źródło: 14V
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: IGBT (z diodą)
Napięcia kolektor-emiter: 600V
Prąd kolektora: 30A
Moc: 100W
Obudowa: TO-220
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: bipolarny, NPN
Napięcia kolektor-emiter: 600/450V
Prąd kolektora: 10A
Moc: 100W
Obudowa: SOT99
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1000/450V
Prąd kolektora: 8A
Moc: 100W
Obudowa: TO220
Montaż: THT
Częstotliwość: 10MHz
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1000/450V
Prąd kolektora: 5A
Moc: 100W
Obudowa: TO220
Montaż: THT