Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 50A
Moc: 143W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 3.7A
Moc: 2.1W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET,
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu: 4,3A
Moc: 1.4W
Obudowa: SOT23
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 48mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)