- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 600V
Prąd drenu: 10A
Moc: 35W
Obudowa: TO220FP izolowana
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 80V
Prąd kolektora: 4A
Moc: 36W
Obudowa: TO-126
Montaż: THT
Częstotliwość: 3MHz
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 80V
Prąd kolektora: 4A
Moc: 36W
Obudowa: TO-126
Montaż: THT
Częstotliwość: 3MHz
Typ tranzystora: NPN z diodą
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1500/700V
Prąd kolektora: 8A
Moc: 35W
Obudowa: TO220
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1500/700V
Prąd kolektora: 8A
Moc: 35W
Obudowa: TO220
Montaż: THT
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 50A
Moc: 143W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)