Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 50A
Moc: 143W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 80V
Prąd kolektora: 4A
Moc: 36W
Obudowa: TO-126
Montaż: THT
Częstotliwość: 3MHz
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 80V
Prąd kolektora: 4A
Moc: 36W
Obudowa: TO-126
Montaż: THT
Częstotliwość: 3MHz
Typ tranzystora: NPN, Darlington z diodą
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 8A
Moc: 60W
Obudowa: TO-220
Montaż: THT
Częstotliwość: 20MHz
Typ tranzystora: PNP, Darlington z diodą
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 8A
Moc: 60W
Obudowa: TO-220
Montaż: THT
Częstotliwość: 20MHz
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 800/375V
Prąd kolektora:6A
Moc: 60W
Obudowa: TO3
Montaż: THT