Napięcie dren-źródło: 160V
Prąd drenu: 7A
Moc: 100W
Obudowa: TO-3
Napięcie bramka-źródło: 14V
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 75V
Prąd drenu: 209A
Moc: 330W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 500V
Prąd drenu: 14A
Moc: 190W
Obudowa: TO247
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 500V
Prąd drenu: 17A
Moc: 190W
Obudowa: TO247
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: bipolarny, NPN
Napięcia kolektor-emiter: 600/450V
Prąd kolektora: 10A
Moc: 100W
Obudowa: SOT99
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1000/450V
Prąd kolektora: 8A
Moc: 100W
Obudowa: TO220
Montaż: THT
Częstotliwość: 10MHz
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1000/450V
Prąd kolektora: 5A
Moc: 100W
Obudowa: TO220
Montaż: THT
Typ tranzystora: IGBT (z diodą)
Napięcia kolektor-emiter: 600V
Prąd kolektora: 30A
Moc: 100W
Obudowa: TO-220
Montaż: przewlekany (THT)