Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 75V
Prąd drenu: 209A
Moc: 330W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 500V
Prąd drenu: 14A
Moc: 190W
Obudowa: TO247
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 500V
Prąd drenu: 17A
Moc: 190W
Obudowa: TO247
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 50A
Moc: 143W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)
- Bestseller
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 15A
Moc: 90W
Obudowa: TO-220
Montaż: THT
Częstotliwość: 3MHz
- Bestseller
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 15A
Moc: 90W
Obudowa: TO-220
Montaż: THT
Częstotliwość: 3MHz