- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 110A
Moc: 200W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Tranzystor może być z powodzeniem stosowany zamiast HUF75344G lub H80NF55
Typ elementu: tyrystor
Napięcie wsteczne maks.: 600V
Prąd przewodzenia maks.: 30A
Prąd bramki: 100mA
Obudowa: TO-64 (TO-208AB)
Montaż: THT
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 75V
Prąd drenu: 209A
Moc: 330W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 500V
Prąd drenu: 14A
Moc: 190W
Obudowa: TO247
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 500V
Prąd drenu: 17A
Moc: 190W
Obudowa: TO247
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ diody: Schottky, podwójna
Napięcie wsteczne: 45V
Prąd przewodzenia: 40A
Obudowa: TO-247
Montaż: THT
Wspólna katoda
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 115V
Prąd kolektora: 25A
Moc: 125W
Obudowa: TO-247
Montaż: THT
Częstotliwość: 3MHz
Odpowiednik dla: BD250C
- Bestseller
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 115V
Prąd kolektora: 25A
Moc: 125W
Obudowa: TO-247
Montaż: THT
Częstotliwość: 3MHz
Odpowiednik dla: BD249C
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1000/450V
Prąd kolektora: 15A
Moc: 150W
Obudowa: TO247
Montaż: THT
Częstotliwość: 5MHz
Typ tranzystora: IGBT (z diodą)
Napięcia kolektor-emiter: 600V
Prąd kolektora: 100A
Moc: 333W
Obudowa: TO-247
Montaż: przewlekany (THT)