Procesor: AVR
Architektura: 8-Bit
Częstotliwość: 20MHz
Interfejs: I²C, SPI, UART/USART
Peryferia: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Liczba wejść/wyjść: 23
Liczba kanałów PWM: 6
Liczba timerów: 3 (1x16bit; 2x8bit)
Pojemność pamięci: 16kB
Typ pamięci: FLASH
Pojemność EEPROM: 512B
Pojemność SRAM: 1kB
Napięcie pracy: 2.7 V ~ 5.5 V
Obudowa: DIL28
Typ tranzystora: IGBT (z diodą)
Napięcia kolektor-emiter: 600V
Prąd kolektora: 100A
Moc: 333W
Obudowa: TO-247
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 110A
Moc: 170W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Mikrokontroler AVR, 16kB-Flash 1kB-RAM 512B-EE 35I/O ISP 2,7÷5,5V 4xtimer 2UART SPI RTC -40÷85°C
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 47A
Moc: 110W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Procesor: AVR
Architektura: 8-Bit
Częstotliwość: 20MHz
Interfejs: I²C, SPI, UART/USART
Peryferia: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Liczba wejść/wyjść: 23
Liczba kanałów PWM: 6
Liczba timerów: 3 (1x16bit; 2x8bit)
Pojemność pamięci: 8kB
Typ pamięci: FLASH
Pojemność EEPROM: 512B
Pojemność SRAM: 1kB
Napięcie pracy: 1.8 V ~ 5.5 V
Obudowa: TQFP32
- Bestseller
Procesor: AVR
Architektura: 8-Bit
Częstotliwość: 20MHz
Interfejs: I²C, SPI, UART/USART
Peryferia: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Liczba wejść/wyjść: 23
Liczba kanałów PWM: 6
Liczba timerów: 3 (1x16bit; 2x8bit)
Pojemność pamięci: 8kB
Typ pamięci: FLASH
Pojemność EEPROM: 512B
Pojemność SRAM: 1kB
Napięcie pracy: 1.8 V ~ 5.5 V
Obudowa: DIL28
Procesor: AVR
Architektura: 8-Bit
Częstotliwość: 20MHz
Interfejs: I²C, SPI, UART/USART
Peryferia: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Liczba wejść/wyjść: 23
Liczba kanałów PWM: 6
Liczba timerów: 3 (1x16bit; 2x8bit)
Pojemność pamięci: 16kB
Typ pamięci: FLASH
Pojemność EEPROM: 512B
Pojemność SRAM: 1kB
Napięcie pracy: 1.8 V ~ 5.5 V
Obudowa: DIL28
- Bestseller
Podstawowe parametry:
- seria ATTINY
- Flash 1KB
- EEPROM 64B
- SRAM 64B
- liczba linii we/wy 6
- wejścia ADC 4
- timer 1
- kanały PWM 2
- zegar 20 MHz
- interfejs SPI
- napięcie zasilania min 1.8V
- napięcie zasilania max 5.5V
- typ urządzenia końcowego do montażu w otworach
- typ obudowy PDIP 8
- temp pracy -40°C...+85°C
- bity 8
- bity w zegarze 8
- bity w ADC 10
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 100V
Prąd drenu: 23A
Moc: 140W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,117Ω
Montaż: przewlekany (THT)