- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 400V
Prąd drenu: 10A
Moc: 125W
Obudowa: TO220AB
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 150V
Prąd drenu: 83A
Moc: 330W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 600V
Prąd drenu: 10A
Moc: 35W
Obudowa: TO220FP izolowana
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 600V
Prąd drenu: 4A
Moc: 25W
Obudowa: TO220FB izolowana
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Co to jest tranzystor?
Tranzystor jest to trójelektrodowy, rzadziej czteroelektrodowy, półprzewodowy element elektryczny posiadający zdolność wzmacniania sygnału. Wynalezienie tranzystora jest przełomem w elektryce, zastąpił on duże i energochłonne lampy elektronowe.
Budowa tranzystora
- Bramki G w postaci metalizowanej powłoki
- Izolatora z tlenku krzemu, oddzielającego bramkę od innych podzespołów
- Podłoża B półprzewodnik domieszkowany przeciwnie do rodzaju kanałów
- Drenu D i źródła S, które są obszarami w podłożu o domieszkowaniu przeciwnym do niego
Częścią zasadniczą tranzystora unipolarnego jest kryształ odpowiednio domieszkowanego półprzewodnika z dwiema elektrodami, pomiędzy źródłem i drenem tworzy się tak zwany kanał, płynie nim prąd.Wzdłuż kanału znajduję się trzecia elektroda nazywana bramką. Tranzystory epiplanarne tak jak przypadek układów scalonych, gdzie wytwarza się wiele tranzystorów na wspólnym krysztale, charakteryzują się dodatkową czwartą elektrodą tzw. podłoże, które służy do odpowiedniej polaryzacji podłoża.
Opis przykładowego produktu tranzystor unipolarny IRFZ44N: Symbol produktu: IRFZ44N, Prąd drenu: 49A, Napięcie: 55V, Moc: 107W, Obudowa: TO-220