- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 600V
Prąd drenu: 10A
Moc: 35W
Obudowa: TO220FP izolowana
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 100V
Prąd drenu: 23A
Moc: 140W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,117Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu: 5A
Moc: 1.3W
Obudowa: SOT23
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 37mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)