Napięcie dren-źródło

• ✓ 55V (1)

Prąd drenu

• ✓ 42A (1)

Typ tranzystora

• ✓ N-MOSFET (1)
• ✓ NPN (1)

Moc

• ✓ 0,3W (4)
• ✓ 0,4W (1)
• ✓ 0,5W (25)
• ✓ 0,6W (1)
• ✓ 0,8W (2)
• ✓ 0,35W (1)
• ✓ 0,36W (1)
• ✓ 0,63W (2)
• ✓ 0,625W (5)
• ✓ 1,2W (4)
• ✓ 1,3W (9)
• ✓ 1,4W (1)
• ✓ 1,5kW (4)
• ✓ 2,1W (1)
• ✓ 2,5W (2)
• ✓ 2W (3)
• ✓ 5W (3)
• ✓ 10W (5)
• ✓ 12,5W (10)
• ✓ 17,5W (1)
• ✓ 20W (1)
• ✓ 23W (1)
• ✓ 25W (2)
• ✓ 30W (1)
• ✓ 34W (1)
• ✓ 35W (3)
• ✓ 36W (2)
• ✓ 40W (2)
• ✓ 45W (4)
• ✓ 60W (3)
• ✓ 65W (2)
• ✓ 90W (2)
• ✓ 94W (1)
• ✓ 100W (5)
• ✓ 110W (3)
• ✓ 117W (1)
• ✓ 125W (3)
• ✓ 130W (1)
• ✓ 140W (2)
• ✓ 143W (1)
• ✓ 150W (5)
• ✓ 175W (1)
• ✓ 190W (3)
• ✓ 200W (5)
• ✓ 250mW (4)
• ✓ 294W (1)
• ✓ 330W (1)
• ✓ 333W (1)
• ✓ 400W (1)
• ✓ 500W (1)
• ✓ 600W (9)

Obudowa

• ✓ DPAK(TO-252) (1)
• ✓ TO-18 (1)

Montaż

• ✓ SMD (powierzchniowy) (1)
• ✓ THT (przewlekany) (1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

• ✓ 8mΩ (1)

Producent

• ✓ International Rectifier (1)

Prąd kolektora

• ✓ 0,5A (1)

Napięcie kolektor-emiter

• ✓ 40V (1)

Rodzaj tranzystora

• ✓ HEXFET (1)

Częstotliwość

• ✓ 400MHz (1)

Sterowanie bramki

• ✓ Logic Level (5V) (1)