Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 42A
Moc: 130W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 900V
Prąd drenu: 5,8A
Moc: 30W
Obudowa: TO220 izolowana
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 40V
Prąd kolektora: 50mA
Moc: 360mW
Obudowa: TO-18
Montaż: THT
Częstotliwość: 400MHz