- Bestseller
Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.
Tranzystor PNP ogólnego przeznaczenia, do zastosowań we wzmacniaczach wysokonapięciowych.
Typ tranzystora: bipolarny, PNP
Napięcia kolektor-emiter: 160V
Prąd kolektora: 600mA
Moc: 350mW
Obudowa: TO92
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 400MHz
- Bestseller
Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.
Tranzystor NPN ogólnego przeznaczenia, do zastosowań we wzmacniaczach wysokonapięciowych.
Typ tranzystora: bipolarny, NPN
Napięcia kolektor-emiter: 160V
Prąd kolektora: 600mA
Moc: 350mW
Obudowa: TO92
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 400MHz
Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1500/800V
Prąd kolektora: 12A
Moc: 45W
Obudowa: SOT93 izolowana
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1500/800V
Prąd kolektora: 10A
Moc: 45W
Obudowa: SOT93 izolowana
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN z diodą
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1500/700V
Prąd kolektora: 8A
Moc: 45W
Obudowa: SOT199 izolowana
Montaż: THT
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 17A
Moc: 45W
Obudowa: I-PAK (TO-251)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, STripFET II
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 2.5A
Moc: 2.5W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω
Montaż: powierzchniowy (SMD)