Tranzystor PNP ogólnego przeznaczenia, do zastosowań jako sterujący we wzmacniaczach wysokonapięciowych.
komplementarny do: 2SD1684
Typ tranzystora: bipolarny, PNP
Napięcia kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 1,5A
Moc: 10W
Obudowa: TO126, izolowana
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 120MH
Tranzystor NPN ogólnego przeznaczenia, do zastosowań jako sterujący we wzmacniaczach wysokonapięciowych.
komplementarny do 2SB1144
Typ tranzystora: bipolarny, NPN
Napięcia kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 1,5A
Moc: 10W
Obudowa: TO126 izolowana
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 120MHz
Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, STripFET II
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 2.5A
Moc: 2.5W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 1,5A
Moc: 10W
Obudowa: TO-220
Montaż: THT
Częstotliwość: 5MHz
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1500/700V
Prąd kolektora: 8A
Moc: 34W
Obudowa: SOT199 izolowana
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1500/700V
Prąd kolektora:2,5A
Moc: 10W
Obudowa: TO3
Montaż: THT
Typ tranzystora: PNP Germanowy
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 10V
Prąd kolektora:1.5A
Moc: 10W
Obudowa: TO3
Montaż: THT