Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 60A
Moc: 150W
Obudowa: TO220
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Tranzystor NPN stosowany jako stopień końcowy we wzmacniaczach Hi-Fi.
Komplementarny do 2SA1943
Typ tranzystora: bipolarny, NPN
Napięcia kolektor-emiter: 230V
Prąd kolektora: 15A
Moc: 150W
Obudowa: SOT430
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 30MHz
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 100V
Prąd drenu: 23A
Moc: 140W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,117Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1000/450V
Prąd kolektora: 15A
Moc: 150W
Obudowa: TO247
Montaż: THT
Częstotliwość: 5MHz
Typ tranzystora: bipolarny, NPN
Napięcia kolektor-emiter: 1500/600V
Prąd kolektora: 20A
Moc: 150W
Obudowa: SOT430
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 3MHz
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, STripFET II
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 2.5A
Moc: 2.5W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω
Montaż: powierzchniowy (SMD)