Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 75V
Prąd drenu: 209A
Moc: 330W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 500V
Prąd drenu: 14A
Moc: 190W
Obudowa: TO247
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 500V
Prąd drenu: 17A
Moc: 190W
Obudowa: TO247
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 80V
Prąd kolektora: 4A
Moc: 36W
Obudowa: TO-126
Montaż: THT
Częstotliwość: 3MHz
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 80V
Prąd kolektora: 4A
Moc: 36W
Obudowa: TO-126
Montaż: THT
Częstotliwość: 3MHz
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, STripFET II
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 2.5A
Moc: 2.5W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω
Montaż: powierzchniowy (SMD)