Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, STripFET II
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 2.5A
Moc: 2.5W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Typ tranzystora: NPN, Darlington
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 500/350V
Prąd kolektora:10A
Moc: 175W
Obudowa: TO3
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 30V
Prąd kolektora: 800mA
Moc: 600mW
Obudowa: TO-92
Montaż: THT
Częstotliwość: 120MHz