Filtruj według

Kategorie

Kategorie

Napięcie dren-źródło

Napięcie dren-źródło

Prąd drenu

Prąd drenu

Typ tranzystora

Typ tranzystora

Moc

Moc

Obudowa

Obudowa

Montaż

Montaż

Rezystancja w stanie przewodzenia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Producent

Producent

Prąd kolektora

Prąd kolektora

Napięcie kolektor-emiter

Napięcie kolektor-emiter

Rodzaj tranzystora

Rodzaj tranzystora

Częstotliwość

Częstotliwość

Typ elementu

Typ elementu

Napięcie wsteczne

Napięcie wsteczne

Prąd przewodzenia maks.

Prąd przewodzenia maks.

Prąd bramki

Prąd bramki

Typ diody

Typ diody

Napięcie przebicia

Napięcie przebicia

Prąd w impulsie maks.

Prąd w impulsie maks.

Prąd znamionowy

Prąd znamionowy

Napięcie wyjściowe

Napięcie wyjściowe

Prąd wyjściowy

Prąd wyjściowy

Rodzaj stabilizatora

Rodzaj stabilizatora

Rodzaj układu scalonego

Rodzaj układu scalonego

Rodzaj bramki

Rodzaj bramki

Sterowanie bramki

Sterowanie bramki

Tranzystory Tranzystory
Tyrystory, triaki, diaki Tyrystory, triaki, diaki
Diody Diody
Mostki prostownicze Mostki prostownicze
Układy scalone, stabilizatory Układy scalone, stabilizatory
Osprzęt do półprzewodników Osprzęt do półprzewodników

Aktywne filtry

  • Montaż: SMD (powierzchniowy) ×
Z0109MN triak 1A, 600V, 10mA SOT223

0,85 zł
  • Bestseller

Typ elementu: triak

Napięcie wsteczne maks.: 600V

Prąd przewodzenia maks.: 1A

Prąd bramki: 10mA

Obudowa: SOT223

Montaż: powierzchniowy (SMD)

Oznaczenie: Z9M

78L05ACD stabilizator 0.1A, +5V, SO-8

0,46 zł

liniowy stabilizator napięcia nieregulowany
Napięcie wyjściowe 5V
Prąd wyjściowy 0.1A
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa SO-8

IRLR2905 tranzystor MOS-N-FET 55V,42A,110W DPAK (TO252)

2,90 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 42A
Moc: 110W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)

IRLR3705Z tranzystor MOS-N-FET 55V 42A 130W DPAK(TO-252)

3,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 42A
Moc: 130W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)

ukł.scalony ATMEGA88PA-AU, TQFP32

9,29 zł

Procesor: AVR
Architektura: 8-Bit
Częstotliwość: 20MHz
Interfejs: I²C, SPI, UART/USART
Peryferia: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Liczba wejść/wyjść: 23
Liczba kanałów PWM: 6
Liczba timerów: 3 (1x16bit; 2x8bit)
Pojemność pamięci: 8kB
Typ pamięci: FLASH
Pojemność EEPROM: 512B
Pojemność SRAM: 1kB
Napięcie pracy: 1.8 V ~ 5.5 V
Obudowa: TQFP32

ukł.scalony HCF4093M SO14

1,80 zł

Układ cyfrowy CMOS

Bramka: NAND

Liczba kanałów: 4

Liczba wejść: 2

Montaż: powierzchniowy (SMD)

Obudowa: SO14

78L12ACD stabilizator 0.1A, +12V, SO-8

0,46 zł

liniowy stabilizator napięcia nieregulowany
Napięcie wyjściowe 12V
Prąd wyjściowy 0.1A
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa SO-8

ST1117M33 stabilizator 0.8A, +3.3V, LDO, SOT223

2,25 zł
  • Bestseller

liniowy stabilizator napięcia nieregulowany LDO

Napięcie wyjściowe: +3.3V
Prąd wyjściowy: 0.8A
Tolerancja: 1.0%
Napięcie dropout: 1.1V
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa SOT223

oznaczenie: 1117M3

HT7133 stabilizator 0.03A, +3.3V, LDO, SOT89

1,55 zł

liniowy stabilizator napięcia nieregulowany LDO

Napięcie wyjściowe: +3.3V
Prąd wyjściowy: 0.03A
Tolerancja: 3.0%
Napięcie dropout: 0,1V
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa SOT89

oznaczenie: 7133-1

TS1117M5 stabilizator 0.8A, +5V, LDO, SOT223

1,89 zł

liniowy stabilizator napięcia nieregulowany LDO

Napięcie wyjściowe: +5V
Prąd wyjściowy: 0.8A
Tolerancja: 2.0%
Napięcie dropout: 1.5V
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa SOT223

oznaczenie: 1117C

IRF7389 tranzystor MOS-N/P-FET 30V 7,3A/5,3A 2,5W 0,028ohm SO-8

4,50 zł

Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

BC807-25 tranzystor SI-P SMD 45V,0.5A,250mW, 100MHz SOT23 - 10sztuk

1,00 zł

Cena za zestaw 10 sztuk tranzystorów.

Typ tranzystora: PNP     
Polaryzacja: bipolarny     
Napięcie kolektor-emiter: 45V     
Prąd kolektora: 500mA     
Moc: 250mW     
Obudowa: SOT-23
Montaż: SMD     
Częstotliwość: 100MHz

BC847C tranzystor SI-N 50V,0.1A,250mW, 300MHz SOT23 - 10sztuk

2,50 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: NPN     
Polaryzacja: bipolarny     
Napięcie kolektor-emiter: 50V     
Prąd kolektora: 100mA     
Moc: 250mW     
Obudowa: SOT-23
Montaż: SMD     
Częstotliwość: 300MHz

Cena za komplet-10sztuk tranzystorów.

BC857C tranzystor Si-P 50V,0.1A,150MHz SOT23 - 10sztuk

2,50 zł
  • Bestseller

Cena za zestaw 10 sztuk tranzystorów.

Typ tranzystora: PNP     
Polaryzacja: bipolarny     
Napięcie kolektor-emiter: 50V     
Prąd kolektora: 100mA     
Moc: 250mW     
Obudowa: SOT-23
Montaż: SMD     
Częstotliwość: 150MHz

Cena za komplet-10 sztuk tranzystorów.

S1M dioda 1A, 1000V, SMD, DO214AC 10sztuk

1,40 zł
  • Bestseller

Typ diody: prostownicza

Napięcie wsteczne maks.: 1000V

Prąd przewodzenia: 1A

Obudowa: DO214AC (SMA)

Montaż: SMD

Można stosować za: M7, GS1M

Cena za zestaw 10 sztuk diod.

1N4007 dioda 1A, 1000V, SMD,MELF 10sztuk

1,40 zł

Typ diody: prostownicza

Napięcie wsteczne maks.: 1000V

Prąd przewodzenia: 1A

Obudowa:MELF (SOD87)

Montaż: SMD

Można stosować za: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006