- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 49A
Moc: 94W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 17,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Driver MOSFET,
Napięcie wyjściowe:620V,
Prąd wyjściowy:210mA,
Moc:1W,
2 wyjścia
Typ tranzystora: IGBT (z diodą)
Napięcia kolektor-emiter: 600V
Prąd kolektora: 30A
Moc: 100W
Obudowa: TO-220
Montaż: przewlekany (THT)
Układ cyfrowy CMOS
multiplexer, switch
Liczba kanałów: 4
Montaż: przewlekany (THT)
Obudowa:DIL14
Procesor: AVR
Architektura: 8-Bit
Częstotliwość: 20MHz
Interfejs: I²C, SPI, UART/USART
Peryferia: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Liczba wejść/wyjść: 23
Liczba kanałów PWM: 6
Liczba timerów: 3 (1x16bit; 2x8bit)
Pojemność pamięci: 16kB
Typ pamięci: FLASH
Pojemność EEPROM: 512B
Pojemność SRAM: 1kB
Napięcie pracy: 2.7 V ~ 5.5 V
Obudowa: DIL28
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 100V
Prąd drenu: 33A
Moc: 140W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: bipolarny, PNP
Napięcia kolektor-emiter: 120V
Prąd kolektora: 100mA
Moc: 300mW
Obudowa: TO92
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 100MHz
2SA970 niskoszumowy (low noise)
Mikrokontroler AVR, 16kB-Flash 1kB-RAM 512B-EE 35I/O ISP 2,7÷5,5V 4xtimer 2UART SPI RTC -40÷85°C
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 400V
Prąd drenu: 10A
Moc: 125W
Obudowa: TO220AB
Montaż: przewlekany (THT)
Tranzystor NPN stosowany jako stopień końcowy we wzmacniaczach Hi-Fi.
Komplementarny do 2SA1943
Typ tranzystora: bipolarny, NPN
Napięcia kolektor-emiter: 230V
Prąd kolektora: 15A
Moc: 150W
Obudowa: SOT430
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 30MHz
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 150V
Prąd drenu: 83A
Moc: 330W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 110A
Moc: 200W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Tranzystor może być z powodzeniem stosowany zamiast HUF75344G lub H80NF55
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 75V
Prąd drenu: 209A
Moc: 330W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 500V
Prąd drenu: 14A
Moc: 190W
Obudowa: TO247
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 42A
Moc: 110W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 42A
Moc: 130W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Procesor: AVR
Architektura: 8-Bit
Częstotliwość: 20MHz
Interfejs: I²C, SPI, UART/USART
Peryferia: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Liczba wejść/wyjść: 23
Liczba kanałów PWM: 6
Liczba timerów: 3 (1x16bit; 2x8bit)
Pojemność pamięci: 8kB
Typ pamięci: FLASH
Pojemność EEPROM: 512B
Pojemność SRAM: 1kB
Napięcie pracy: 1.8 V ~ 5.5 V
Obudowa: TQFP32
- Bestseller
Procesor: AVR
Architektura: 8-Bit
Częstotliwość: 20MHz
Interfejs: I²C, SPI, UART/USART
Peryferia: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Liczba wejść/wyjść: 23
Liczba kanałów PWM: 6
Liczba timerów: 3 (1x16bit; 2x8bit)
Pojemność pamięci: 8kB
Typ pamięci: FLASH
Pojemność EEPROM: 512B
Pojemność SRAM: 1kB
Napięcie pracy: 1.8 V ~ 5.5 V
Obudowa: DIL28
Procesor: AVR
Architektura: 8-Bit
Częstotliwość: 20MHz
Interfejs: I²C, SPI, UART/USART
Peryferia: Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Liczba wejść/wyjść: 23
Liczba kanałów PWM: 6
Liczba timerów: 3 (1x16bit; 2x8bit)
Pojemność pamięci: 16kB
Typ pamięci: FLASH
Pojemność EEPROM: 512B
Pojemność SRAM: 1kB
Napięcie pracy: 1.8 V ~ 5.5 V
Obudowa: DIL28
- Bestseller
Podstawowe parametry:
- seria ATTINY
- Flash 1KB
- EEPROM 64B
- SRAM 64B
- liczba linii we/wy 6
- wejścia ADC 4
- timer 1
- kanały PWM 2
- zegar 20 MHz
- interfejs SPI
- napięcie zasilania min 1.8V
- napięcie zasilania max 5.5V
- typ urządzenia końcowego do montażu w otworach
- typ obudowy PDIP 8
- temp pracy -40°C...+85°C
- bity 8
- bity w zegarze 8
- bity w ADC 10
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 74A
Moc: 200W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ
Montaż: przewlekany (THT)