Typ tranzystora: NPN, Darlington
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 500/350V
Prąd kolektora:10A
Moc: 175W
Obudowa: TO3
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 40V
Prąd kolektora: 50mA
Moc: 360mW
Obudowa: TO-18
Montaż: THT
Częstotliwość: 400MHz
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 3.7A
Moc: 2.1W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)