Typ tranzystora: NPN, Darlington
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 500/350V
Prąd kolektora:10A
Moc: 175W
Obudowa: TO3
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 40V
Prąd kolektora: 50mA
Moc: 360mW
Obudowa: TO-18
Montaż: THT
Częstotliwość: 400MHz
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 232A
Moc: 294W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ
Montaż: przewlekany (THT)