- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 400V
Prąd drenu: 10A
Moc: 125W
Obudowa: TO220AB
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: PNP
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 115V
Prąd kolektora: 25A
Moc: 125W
Obudowa: TO-247
Montaż: THT
Częstotliwość: 3MHz
Odpowiednik dla: BD250C
- Bestseller
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 115V
Prąd kolektora: 25A
Moc: 125W
Obudowa: TO-247
Montaż: THT
Częstotliwość: 3MHz
Odpowiednik dla: BD249C
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 3.7A
Moc: 2.1W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1000/450V
Prąd kolektora: 5A
Moc: 20W
Obudowa: TO220 izolowana
Montaż: THT