Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 42A
Moc: 130W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1000/450V
Prąd kolektora: 5A
Moc: 20W
Obudowa: TO220 izolowana
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN, Darlington z diodą
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 8A
Moc: 60W
Obudowa: TO-220
Montaż: THT
Częstotliwość: 20MHz
Typ tranzystora: PNP, Darlington z diodą
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 8A
Moc: 60W
Obudowa: TO-220
Montaż: THT
Częstotliwość: 20MHz
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 800/375V
Prąd kolektora:6A
Moc: 60W
Obudowa: TO3
Montaż: THT