- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 100V
Prąd drenu: 33A
Moc: 140W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET,
Napięcie dren-źródło: 200V
Prąd drenu: 11A
Moc: 140W
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω
Obudowa: TO220AB
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1000/450V
Prąd kolektora: 8A
Moc: 23W
Obudowa: TO220 izolowana
Montaż: THT
Typ tranzystora: IGBT (z diodą)
Napięcia kolektor-emiter: 600V
Prąd kolektora: 100A
Moc: 333W
Obudowa: TO-247
Montaż: przewlekany (THT)