Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 75V
Prąd drenu: 209A
Moc: 330W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 500V
Prąd drenu: 14A
Moc: 190W
Obudowa: TO247
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 500V
Prąd drenu: 17A
Moc: 190W
Obudowa: TO247
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 400V
Prąd kolektora: 1,5A
Moc: 40W
Obudowa: TO-126
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN, Darlington z diodą
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 60V
Prąd kolektora: 4A
Moc: 40W
Obudowa: TO-126
Montaż: THT
Częstotliwość: 10MHz