Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 42A
Moc: 130W
Obudowa: D-PAK (TO-252AA)
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Typ tranzystora: IGBT (z diodą)
Napięcia kolektor-emiter: 600V
Prąd kolektora: 100A
Moc: 333W
Obudowa: TO-247
Montaż: przewlekany (THT)