Napięcie dren-źródło: 160V
Prąd drenu: 7A
Moc: 100W
Obudowa: TO-3
Napięcie bramka-źródło: 14V
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 3.7A
Moc: 2.1W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 90V
Prąd kolektora: 30A
Moc: 200W
Obudowa: TO-3
Montaż: THT
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, STripFET II
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 2.5A
Moc: 2.5W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Tranzystor mocy popularnie stosowany w różnego rodzaju układach wzmacniaczy oraz w motoryzacji.
Typ tranzystora: bipolarny, PNP, Darlington
Napięcie kolektor-emiter: 120V
Prąd kolektora: 30A
Moc: 200W
Obudowa: TO3
Częstotliwość: 4Mhz
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: PNP
Producent: TUNGSRAM
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 15A
Moc: 117W
Obudowa: TO-3
Montaż: THT
Częstotliwość: 4MHz
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 800/375V
Prąd kolektora:6A
Moc: 60W
Obudowa: TO3
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN, Darlington
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 500/350V
Prąd kolektora:10A
Moc: 175W
Obudowa: TO3
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1700/800V
Prąd kolektora:4A
Moc: 12,5W
Obudowa: TO3
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN z diodą
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1500/700V
Prąd kolektora:5A
Moc: 12,5W
Obudowa: TO3
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1500/700V
Prąd kolektora:2,5A
Moc: 10W
Obudowa: TO3
Montaż: THT
Typ tranzystora: PNP Germanowy
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 10V
Prąd kolektora:1.5A
Moc: 10W
Obudowa: TO3
Montaż: THT