Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 60A
Moc: 150W
Obudowa: TO220
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: LogicLevel, N/N-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanałów N: 8,1A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanałów N: 17,9mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, STripFET II
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 2.5A
Moc: 2.5W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 68V
Prąd drenu: 60A
Moc: 110W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ
Montaż: przewlekany (THT)