Typ tranzystora: IGBT (z diodą)
Napięcia kolektor-emiter: 600V
Prąd kolektora: 100A
Moc: 333W
Obudowa: TO-247
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 110A
Moc: 170W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Tranzystor PNP ogólnego przeznaczenia, do zastosowań jako sterujący we wzmacniaczach wysokonapięciowych.
komplementarny do: 2SD1684
Typ tranzystora: bipolarny, PNP
Napięcia kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 1,5A
Moc: 10W
Obudowa: TO126, izolowana
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 120MH
Tranzystor NPN ogólnego przeznaczenia, do zastosowań jako sterujący we wzmacniaczach wysokonapięciowych.
komplementarny do 2SB1144
Typ tranzystora: bipolarny, NPN
Napięcia kolektor-emiter: 100V
Prąd kolektora: 1,5A
Moc: 10W
Obudowa: TO126 izolowana
Montaż: przewlekany (THT)
Częstotliwość: 120MHz
Typ tranzystora: bipolarny, NPN
Napięcia kolektor-emiter: 60V
Prąd kolektora: 10A
Moc: 25W
Obudowa: TO220
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET, Logic Level
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 47A
Moc: 110W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 16V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 100V
Prąd drenu: 23A
Moc: 140W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,117Ω
Montaż: przewlekany (THT)