- Bestseller
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 600V
Prąd drenu: 10A
Moc: 35W
Obudowa: TO220FP izolowana
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 600V
Prąd drenu: 4A
Moc: 25W
Obudowa: TO220FB izolowana
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 60A
Moc: 150W
Obudowa: TO220
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 900V
Prąd drenu: 5,8A
Moc: 30W
Obudowa: TO220 izolowana
Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET
Napięcie dren-źródło: 500V
Prąd drenu: 17A
Moc: 190W
Obudowa: TO247
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω
Montaż: przewlekany (THT)
Typ tranzystora: unipolarny, P-MOSFET, STripFET II
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 2.5A
Moc: 2.5W
Obudowa: SOT223
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω
Montaż: powierzchniowy (SMD)