Napięcie dren-źródło

• ✓ 55V (1)
• ✓ 200V (1)

Prąd drenu

• ✓ 11A (1)
• ✓ 42A (1)

Typ tranzystora

• ✓ N-MOSFET (1)
• ✓ P-MOSFET (1)

Moc

• ✓ 110W (1)
• ✓ 140W (1)

Obudowa

• ✓ DPAK(TO-252) (1)
• ✓ TO-220 (1)

Montaż

• ✓ SMD (powierzchniowy) (1)
• ✓ THT (przewlekany) (1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

• ✓ 0,5Ω (1)
• ✓ 0,12Ω (1)
• ✓ 0,22Ω (1)
• ✓ 0,27Ω (1)
• ✓ 0,75Ω (1)
• ✓ 2Ω (2)
• ✓ 5Ω (1)
• ✓ 6,8mΩ (1)
• ✓ 8mΩ (3)
• ✓ 12mΩ (2)
• ✓ 17,5mΩ (2)
• ✓ 17,9mΩ (1)
• ✓ 22mΩ (1)
• ✓ 27mΩ (1)
• ✓ 29mΩ (1)
• ✓ 37mΩ (1)
• ✓ 44mΩ (1)
• ✓ 45mΩ (1)
• ✓ 48mΩ (1)
• ✓ 65mΩ (1)
• ✓ 75mΩ (1)
• ✓ 130mΩ (1)

Producent

• ✓ International Rectifier (1)

Rodzaj tranzystora

• ✓ HEXFET (1)

Sterowanie bramki

• ✓ Logic Level (5V) (1)