Napięcie dren-źródło

• ✓ 75V (1)
• ✓ 600V (1)

Prąd drenu

• ✓ 10A (1)
• ✓ 30A (1)

Moc

• ✓ 35W (1)
• ✓ 190W (1)

Obudowa

• ✓ TO-220izol (1)
• ✓ TO-247 (1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

• ✓ 0,5Ω (1)
• ✓ 0,12Ω (1)
• ✓ 0,22Ω (1)
• ✓ 0,27Ω (1)
• ✓ 0,75Ω (1)
• ✓ 2Ω (2)
• ✓ 5Ω (1)
• ✓ 6,8mΩ (1)
• ✓ 8mΩ (3)
• ✓ 12mΩ (2)
• ✓ 17,5mΩ (2)
• ✓ 17,9mΩ (1)
• ✓ 22mΩ (1)
• ✓ 27mΩ (1)
• ✓ 29mΩ (1)
• ✓ 37mΩ (1)
• ✓ 44mΩ (1)
• ✓ 45mΩ (1)
• ✓ 48mΩ (1)
• ✓ 65mΩ (1)
• ✓ 75mΩ (1)
• ✓ 130mΩ (1)

Producent

• ✓ International Rectifier (1)
• ✓ ST Microelectronics (1)

Rodzaj tranzystora

• ✓ HEXFET (1)