Napięcie dren-źródło

• ✓ 100V (1)
• ✓ 600V (1)
• ✓ 900V (1)

Prąd drenu

• ✓ 4A (1)
• ✓ 5,8A (1)
• ✓ 23A (1)

Typ tranzystora

• ✓ N-MOSFET (2)
• ✓ P-MOSFET (1)

Moc

• ✓ 25W (1)
• ✓ 30W (1)
• ✓ 150W (1)

Obudowa

• ✓ TO-220 (1)
• ✓ TO-220izol (2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

• ✓ 0,5Ω (1)
• ✓ 0,12Ω (1)
• ✓ 0,22Ω (1)
• ✓ 0,27Ω (1)
• ✓ 0,75Ω (1)
• ✓ 2Ω (2)
• ✓ 5Ω (1)
• ✓ 6,8mΩ (1)
• ✓ 8mΩ (3)
• ✓ 12mΩ (2)
• ✓ 17,5mΩ (2)
• ✓ 17,9mΩ (1)
• ✓ 22mΩ (1)
• ✓ 27mΩ (1)
• ✓ 29mΩ (1)
• ✓ 37mΩ (1)
• ✓ 44mΩ (1)
• ✓ 45mΩ (1)
• ✓ 48mΩ (1)
• ✓ 65mΩ (1)
• ✓ 75mΩ (1)
• ✓ 130mΩ (1)

Producent

• ✓ Infineon Technologies (1)
• ✓ ST Microelectronics (2)

Rodzaj tranzystora

• ✓ HEXFET (1)