Typ tranzystora: N-MOSFET x2, unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 50V
Prąd drenu kanałów N: 3A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 130mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 12nC
Podzespoły elektroniczne
-
Kategorie
- Podzespoły Elektroniczne
- Moduły i zestawy do montażu
- Przekaźniki
- Przełączniki
- Wyposażenie warsztatowe
- Kable i przewody
- Akumulatory, baterie i zasilacze
- Złącza
- Obudowy i części mechaniczne
- Akcesoria elektryczne
- Audio
- Oświetlenie
- RÓŻNE
-
Wszystkie marki
- Amphenol
- ATMEL
- AZUSA
- CDIL
- CEM
- CEMI
- DALLAS Semiconductor
- Duracell
- Energizer
- Fairchild Semiconductor
- Finder
- GP
- Hitachi
- HONGFA
- Infineon Technologies
- International Rectifier
- Intersil
- KINETIC
- LG Electronics
- Maxell
- MICROCHIP
- Motorola
- National Semiconductor
- Neutrik
- NINGBO FORWARD Relays Corporation Ltd.
- NXP Semiconductors
- ON Semiconductor
- OSRAM
- Panasonic
- Pro'sKit
- SANYO
- SCHINDENGEN
- SCHURTER
- Sony
- ST Microelectronics
- Starlight
- Talvico
- TECXUS
- TESLA
- Texas Instruments
- Toshiba
- UNI-TREND
- V&A Instrument Co. Ltd.
- Varta
- Vinnic
- Vitalco
- O firmie
- Kontakt
Filtruj według
Napięcie dren-źródło
Napięcie dren-źródło
Tranzystory unipolarne
Co to jest tranzystor?
Tranzystor jest to trójelektrodowy, rzadziej czteroelektrodowy, półprzewodowy element elektryczny posiadający zdolność wzmacniania sygnału. Wynalezienie tranzystora jest przełomem w elektryce, zastąpił on duże i energochłonne lampy elektronowe.
Budowa tranzystora
- Bramki G w postaci metalizowanej powłoki
- Izolatora z tlenku krzemu, oddzielającego bramkę od innych podzespołów
- Podłoża B półprzewodnik domieszkowany przeciwnie do rodzaju kanałów
- Drenu D i źródła S, które są obszarami w podłożu o domieszkowaniu przeciwnym do niego
Częścią zasadniczą tranzystora unipolarnego jest kryształ odpowiednio domieszkowanego półprzewodnika z dwiema elektrodami, pomiędzy źródłem i drenem tworzy się tak zwany kanał, płynie nim prąd.Wzdłuż kanału znajduję się trzecia elektroda nazywana bramką. Tranzystory epiplanarne tak jak przypadek układów scalonych, gdzie wytwarza się wiele tranzystorów na wspólnym krysztale, charakteryzują się dodatkową czwartą elektrodą tzw. podłoże, które służy do odpowiedniej polaryzacji podłoża.
Opis przykładowego produktu tranzystor unipolarny IRFZ44N: Symbol produktu: IRFZ44N, Prąd drenu: 49A, Napięcie: 55V, Moc: 107W, Obudowa: TO-220