IRF7103 tranzystor dualMOS-N/P-FET 50V 3A/3A 2W 0,028ohm SO-8

IRF7103 tranzystor dualMOS-N/N-FET 50V 3A/3A 2W 0,028ohm SO-8

Indeks: IRF7103
Availability:
2,50 zł
Brutto (zawiera podatek VAT)

Typ tranzystora: N-MOSFET x2, unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 50V
Prąd drenu kanałów N: 3A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 130mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 12nC

Opis

Montaż
SMD (powierzchniowy)
Rezystancja w stanie przewodzenia
130mΩ
Producent
International Rectifier
Moc
2W
Typ tranzystora
dual N/N-MOSFET
Napięcie dren-źródło
50V
Rodzaj tranzystora
HEXFET
Prąd drenu
3A
Obudowa
SO-8
Nowy