Filtruj według

Kategorie

Kategorie

Napięcie dren-źródło

Napięcie dren-źródło

Prąd drenu

Prąd drenu

Typ tranzystora

Typ tranzystora

Moc

Moc

Obudowa

Obudowa

Montaż

Montaż

Rezystancja w stanie przewodzenia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Producent

Producent

Prąd kolektora

Prąd kolektora

Napięcie kolektor-emiter

Napięcie kolektor-emiter

Rodzaj tranzystora

Rodzaj tranzystora

Częstotliwość

Częstotliwość

Napięcie wsteczne

Napięcie wsteczne

Prąd przewodzenia maks.

Prąd przewodzenia maks.

Typ diody

Typ diody

Napięcie Zenera

Napięcie Zenera

Napięcie przebicia

Napięcie przebicia

Prąd w impulsie maks.

Prąd w impulsie maks.

Sterowanie bramki

Sterowanie bramki

Półprzewodniki

Półprzewodniki | APHElektra.com
Tranzystory Tranzystory
Tyrystory, triaki, diaki Tyrystory, triaki, diaki
Diody Diody
Mostki prostownicze Mostki prostownicze
Układy scalone, stabilizatory Układy scalone, stabilizatory
Osprzęt do półprzewodników Osprzęt do półprzewodników

Aktywne filtry

  • Kategorie: Diody ×
  • Kategorie: Tranzystory ×
1N4148 dioda 0,15A, 75V, 4ns, DO35 10sztuk

0,37 zł
  • Bestseller

Typ diody: przełączająca

Napięcie wsteczne maks.: 75V

Prąd przewodzenia: 150mA

Obudowa: DO-35

Montaż: THT

Czas gotowości: 4ns

BC308 tranzystor SI-P 30V,0.1A,0.3W,130MHz TO92

1,40 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: PNP     
Polaryzacja: bipolarny     
Napięcie kolektor-emiter: 30V     
Prąd kolektora: 100mA     
Moc: 300mW     
Obudowa: TO-92
Montaż: THT     
Częstotliwość: 130MHz

Cena za zestaw 10 sztuk tranzystorów.

IRFZ44N tranzystor MOS-N-FET 55V,49A,94W TO220

3,90 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 49A
Moc: 94W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 17,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

2N7000 tranzystor N-FET 60V,0.2A, 0.35W, TO-92

3,75 zł
  • Bestseller

Cena za zestaw 5 sztuk tranzystorów.

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET 
Napięcie dren-źródło: 60V
Prąd drenu: 0,2A
Moc: 350mW
Obudowa: TO-92
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω
Montaż: przewlekany (THT)  

Zamiennik dla: BS170, BST170, BST72, 2SK1337

BA159 dioda 1A, 1000V, 250ns, DO41

0,90 zł
  • Bestseller

Typ diody: przełączająca

Napięcie wsteczne maks.: 1000V

Prąd przewodzenia: 1A

Obudowa: DO-41

Montaż: THT

Czas gotowości: 250ns

1N4007 dioda 1A, 1000V, DO41 10sztuk

0,80 zł
  • Bestseller

Typ diody: prostownicza

Napięcie wsteczne maks.: 1000V

Prąd przewodzenia: 1A

Obudowa: DO-41

Montaż: THT

Można stosować za: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006

BY299 dioda 2A, 800V, 150ns, DO15

3,90 zł
  • Bestseller

Typ diody: prostownicza

Napięcie wsteczne maks.: 800V

Prąd przewodzenia: 2A

Obudowa: DO-15

Montaż: THT

Czas gotowości: 150ns

BY399 dioda prost. 3A, 800V, 150ns, DO15

3,90 zł
  • Bestseller

Typ diody: prostownicza

Napięcie wsteczne maks.: 800V

Prąd przewodzenia: 3A

Obudowa: DO-201AD(DO27)

Montaż: THT

Czas gotowości: 150ns

Cena za komplet 10 sztuk diod.

BYW29-200 dioda 8A, 200V, 25ns , TO220AC

2,47 zł
  • Bestseller

Typ diody: prostownicza, ultraszybka

Napięcie wsteczne maks.: 200V

Prąd przewodzenia: 8A

Obudowa: TO-220AC

Montaż: THT

Czas gotowości: 25ns

D161-250-10 dioda 250A, 1000V, DO-9

98,00 zł

Typ diody: prostownicza

Napięcie wsteczne maks.: 1000V

Prąd przewodzenia: 250A

Obudowa: DO-9

Montaż: przykręcany

Dioda produkcji rosyjskiej. Polaryzacja- anoda na gwincie. Gwint M20x1,5

IRF3205 tranzystor MOS-N-FET 55V,110A,200W TO220

5,70 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 110A
Moc: 170W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

BAP814 dioda 2.1V, 56mA

0,30 zł
  • Bestseller

Dioda uniwersalna lub stabilizacyjna małych napięć Uf=2.1V,

If=56mA (trzy struktury Si)

Obudowa szklana D07.

Anoda struktury bliżej szkła 

IRF540N tranzystor MOS-N-FET 100V,33A,140W TO220

3,90 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 100V
Prąd drenu: 33A
Moc: 140W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

D161-320-11 dioda 320A, 1100V, DO-9

128,00 zł

Typ diody: prostownicza

Napięcie wsteczne maks.: 1100V

Prąd przewodzenia: 320A

Obudowa: DO-9

Montaż: przykręcany

Dioda produkcji rosyjskiej. Polaryzacja- anoda na gwincie. Gwint M20x1,5

D161-200-12 dioda 200A, 1200V, DO-9

78,00 zł

Typ diody: prostownicza

Napięcie wsteczne maks.: 1200V

Prąd przewodzenia: 200A

Obudowa: DO-9

Montaż: przykręcany

Dioda produkcji rosyjskiej. Polaryzacja- anoda na gwincie. Gwint M20x1,5

IRFB4228 tranzystor MOS-N-FET 150V, 83A, 330W, TO-220

14,99 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 150V
Prąd drenu: 83A
Moc: 330W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 12mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

IRFB9N65A tranzystor MOS-N-FET 650V,8A,167W, 0,93R TO-220

4,38 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 650V
Prąd drenu: 8A
Moc: 167W
Obudowa: TO220AB
Napięcie bramka-źródło: 30V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,93Ω
Montaż: przewlekany (THT)

IRFP064N tranzystor MOS-N-FET 55V,110A,200W, TO247

14,80 zł
  • Bestseller

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 55V
Prąd drenu: 110A
Moc: 200W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ
Montaż: przewlekany (THT)

Tranzystor może być z powodzeniem stosowany zamiast HUF75344G lub H80NF55

IRFP2907 tranzystor MOS-N-FET 75V,209A,330W, TO247

23,90 zł

Typ tranzystora: unipolarny, N-MOSFET, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 75V
Prąd drenu: 209A
Moc: 330W
Obudowa: TO247
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5mΩ
Montaż: przewlekany (THT)