źródło napięcia odniesienia
Napięcie wyjściowe: 1,2V,
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa: SO-8
Komparator różnicowy
Czas propagacji: 300ns
Napięcie zasilania: 2-36V DC
Obudowa: SO-8
Liczba kanałów: 2
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Rodzaj stabilizatora: regulowany
Napięcie wyjściowe: 1.2 - 37V
Prąd wyjściowy: 0,1A
Obudowa: SO-8
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Driver MOSFET,
Napięcie wyjściowe:620V,
Prąd wyjściowy:210mA,
Moc:1W,
2 wyjścia
- Bestseller
Astable/monostable, timer
Częstotliwość 500kHz
Napięcie zasilania: 4.5 - 16V DC
Prąd zasilania DC: 10mA
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa: SO8
Interfejs CAN (nadajnik/odbiornik)
Liczba kanałów: 2
Napięcie zasilania: 5V DC
Obudowa: SO8
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Darlington driver
Prąd wyjściowy: 500mA
Napięcie wyjściowe: 50V
Liczba kanałów: 8
Montaż: przewlekany (THT)
Obudowa: SO18-W(SOL18)
Wzmacniacz operacyjny
Liczba kanałów: 2
Pasmo przenoszenia: 1MHz
Napięcie zasilania: 3-32V DC
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa: SO-8
Wzmacniacz operacyjny, niskoszumny
Liczba kanałów: 2
Pasmo przenoszenia: 3MHz
Napięcie zasilania: +/-3.5 ÷ +/-18V DC
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa: SO-8
liniowy stabilizator napięcia nieregulowany
Napięcie wyjściowe 5V
Prąd wyjściowy 0.1A
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa SO-8
liniowy stabilizator napięcia nieregulowany
Napięcie wyjściowe 12V
Prąd wyjściowy 0.1A
Montaż: powierzchniowy (SMD)
Obudowa SO-8
Typ tranzystora: N/P-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanał N: 7.3A
Prąd drenu kanał P: 5.3A
Moc: 2.5W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 29mΩ
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał P: 58mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1500/800V
Prąd kolektora: 12A
Moc: 45W
Obudowa: SOT93 izolowana
Montaż: THT
Typ tranzystora: NPN
Polaryzacja: bipolarny
Napięcie kolektor-emiter: 1500/800V
Prąd kolektora: 10A
Moc: 45W
Obudowa: SOT93 izolowana
Montaż: THT
Typ tranzystora: LogicLevel, N/N-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanałów N: 8,1A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanałów N: 17,9mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)
Typ tranzystora: N-MOSFET x2, unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 50V
Prąd drenu kanałów N: 3A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 130mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 12nC