Filtruj według

Napięcie dren-źródło

Napięcie dren-źródło

Prąd drenu

Prąd drenu

Moc

Moc

Obudowa

Obudowa

Rezystancja w stanie przewodzenia

Rezystancja w stanie przewodzenia

Sterowanie bramki

Sterowanie bramki

Półprzewodniki

Półprzewodniki | APHElektra.com

Aktywne filtry

  • Moc: 2W ×
  • Obudowa: SO-8 ×
2,90 zł

Typ tranzystora: LogicLevel, N/N-MOSFET , unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30V
Prąd drenu kanałów N: 8,1A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 12V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanałów N: 17,9mΩ
Montaż: SMD(powierzchniowy)

2,50 zł

Typ tranzystora: N-MOSFET x2, unipolarny, HEXFET
Napięcie dren-źródło: 50V
Prąd drenu kanałów N: 3A
Moc: 2W
Obudowa: SO-8
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia kanał N: 130mΩ
Rezystancja termiczna złącze-otoczenie: 62.5K/W
Montaż: SMD
Ładunek bramki: 12nC